碳化硅无压烧结原理—东莞夏阳新材料有限公司

作者：XYC 时间：2023-10-18 分类：行业新闻

常压烧结 SiC，又称无压烧结 SIC（pressureless sitering silicon carbide)，也称烧结SIC( sintered silicon carbide, SSIC)。以前都以为 SIC 是不可能无压烧结的。然而1973年美国GE 公司科学家 Prochazka 首先发现：采用气相法制备的亚微米B-SiC粉，引入少量B和C烧结助剂，在2000~2100℃，于惰性气氛或真空条件下无压烧结可达到高的密度。随后，他们采用阿奇逊法制得的亚微米 a-SiC粉末，添加 B和C助剂进行元压烧绪也可达到98％的致密度，结果见表8-5（佘继红，1998)。

碳化硅

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